일반기술

고분자 박막 내에 자발 형성된 다층 Ni1-XFeX 나노 입자 배열을 이용한 비휘발성 고분자 쌍안정성 기억 소자 제작

차세대 메모리 소자인 플래쉬 기억소자의 제작에 있어서, 상온에서 낮은 전압에서도 전자가 절연층을 투과하여 나노 입자에 포획되는 효과가 가능한 소자와 간단하게 나노 입자의 크기나 밀도의 제어가 가능한 기술이 필요하다. 차세대 플래쉬 기억소자에 대한 이러한 필요성을 바탕으로 본 발명이 제시한 새로운 기억소자는 폴리아믹산과 금속의 화학적 결합에 의해 폴리이미드 속에 생성된 Ni1-XFeX 금속 나노 입자로 제작하며, 이 다층 나노 입자 배열을 이용한 기억소자는 전기적 및 화학적으로 안정한 장점이 있다. 제시한 기억소자는 Al/폴리이미드/다층 Ni1-XFeX 나노 입자/폴리이미드/Al/SiO2/Si 구조를 가지고 있다. 이러한 전기적 및 화학적 안정성 및 제작 공정의 간편함으로 인해 고효율과 저비용의 소스와 드레인이 없는 비휘발성 고분자 쌍안정성 기억소자 제작이 가능하다.본 발명은 종래의 나노 결정체의 형성과정보다 매우 간단하게 나노 결정체를 형성할 수 있으며 전체적으로 균일한 분포를 가지는 결정체들이 고분자층으로 둘러 쌓여있어 결정체의 응집현상 없이 나노 결정체의 크기나 밀도를 제어할 수 있으며 소오스 및 드레인 전극을 별도로 필요로 하지 아니하므로 비용 및 제조시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 전기적으로나 화학적으로 안정성을 갖는 나노 결정체를 이용함으로써 고효율 저비용의 비휘발성 쌍안정 기억 소자를 제공하는 우수한 효과가 있으며 정보 전자 통신분야에서 매우 유용한 발명이다.