일반기술

질화물계 연자성 박막제조 방법을 이용한 자성소자 제조 방법

* 배경본 발명은 기존의 Co, Ni, Fe계열의 강자성박막을 응용한 비정질 연자성박막의 제조에 관한 것이며, 더 상세하하여 게는 기존의 높은 보자력을 가지는 강자성 박막의 향상된 스위칭특성을 보유하는 것으로 DC 스퍼터링 법을 이용하여 자성메모리의 스위칭 특성, 자기저항비, 자기센싱 효과의 향상에 관한 것이다.* 장점강자성 Co, Fe, Ni 단일 또는 혼합 물질에서 낮은 보자력을 가지는 물질을 형성하기 위해서 그에 따른 질소분압의 조절 및 질소플라즈마로 인한 교환력의 감소를 억제하는 자기터널접합의 구조 개선 및 비정질상을 이용한 열적 안정성 확보로서 자성메모리 개발의 문제점 해결한다.* 특징 및 장점본 기술의 방법을 사용하여 차세대의 비휘발성 자성 메모리 소자 개발로 주목받는 낮은 보자력과 열적안정성을 가지는 질화물계 자성박막의 제조법에 관한 것으로 더 상세하게는 강자성계의 Co, Fe, Nil계 또는 그들의 혼합물질에 대한 것으로 sputtering system을 이용한 박막형성의 경우에 있어서 물질이 가지는 높은 보자력 및 불안정한 열적안정성을 향상하는데 탁월한 소재물질로 차세대 MRAM 및 자기 센서용 소자의 개발 방법을 제시함 * 적용응용분야 및 시장성 - magnetic random access memory, magentic sensor - spintronics - spin-transistor