일반기술

고분자 박막 내에 자발 형성된 화합물 반도체 나노 입자들을 사용한 비휘발성 고분자 쌍안정성 기억 소자 제작

지금까지 사용하고 있는 비휘발성 기억소자는 소스와 드레인을 포함하고 있기 때문에 소자 공정과정이 복잡하고 비용이 높다. 이문제를 해결하기 위하여 소스와 드레인의 제조공정이 필요없는 새로운 고분자 박막 내에 자발 형성된 화합물 반도체 나노 입자들을 사용한 비휘발성 고분자 쌍안정성 기억 소자 제작 방법을 이 발명에서 제시하였다. 전자가 절연층을 투과하여 나노 입자에 포획되는 효과가 가능한 쌍안정성 소자와 나노 입자의 크기와 밀도의 제어하여 인가 전압에 따른 전자 포획 및 방출량을 조절할 수 있다. 본 발명이 제시하는 고분자 박막 내에 자발형성된 화합물 반도체 나노 입자들을 사용한 비휘발성 고분자 쌍안정성 기억 소자 제작 방법은 기존의 사용하는 기억소자에 비하여 소스나 드레인 제작 공정이 필요없기 때문에 고가의 장비를 필요로 하지 않고 제작 할 수 있는 간단한 방법이다. 이 발명은 가격이 저렴하고, 대면적, 유연성, 고밀도 및 전기적으로 정보를 전달 및 저장할 수 있는 새로운 기억 소자에 응용할 수 있다.본 발명은 나노 기억 소자에서 고분자 박막 안에 형성된 나노 입자의 크기 및 밀도를 조절하여 외부 전압의 크기를 변화함에 따라 기억소자의 필요한 최적의 쌍안정성 특성을 제어 할 수 있다. 절연성 고분자 안에 삽입된 반도체 나노 입자는 전기적으로나 화학적인 안정하기 때문에 장시간 사용할 수 있는 기억 소자로서 응용할 수 있으며, 소자 제작 및 공정 방법이 간단하여 저비용으로 기억소자를 제작하는 방법을 제시하고 있다. 고분자 내에 Cu2O같은 화합물 반도체 나노 입자를 형성하여 고가의 장비 없이도 간단한 공정과정과 고효율 특성을 갖는 차세대 비휘발성 고분자 쌍안정성 기억 소자 제작에 응용할 수 있으며 기존에 사용되고 있는 플래시 기억 소자의 대치가 가능하다. 국내외 시장성은 수천억불에 달할 것으로 추산된다.