일반기술

고분자 박막 안에 자발 형성된 ZnO 나노 입자를 이용한 플로팅 게이트 구조를 이용한 플래시 기억소자 제작

현재까지 사용하고 있는 나노 플로팅 게이트 구조의 플래시 기억소자는 절연층 안에 Si 나노 입자를 포함시켜야 하기 때문에 소자 공정과정이 복잡하고 비용이 많이 든다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 스핀 코팅과 경화 작용을 통해 절연성 고분자 박막 내에 자발 형성된 ZnO 나노 입자들을 사용한 나노 플로팅 게이트 구조의 새로운 플래시 기억 소자 제작 방법을 본 발명에서 제시하였다. 전자가 절연성 고분자를 투과하여 ZnO 나노 입자에 포획 및 방출되는 효과를 이용하였으며, ZnO 나노 입자의 크기와 밀도의 제어하여 인가 전압에 따른 전자 포획 및 방출량을 조절할 수 있다. 본 발명이 제시하는 절연성 고분자 박막 내에 자발 형성된 ZnO 나노 입자들을 사용한 플래시 기억 소자 제작 방법은 기존의 사용하는 Si 나노 입자 기반의 플래시 기억소자에 비하여 절연성 고분자 안에 나노 입자를 간단히 형성할 수 있기 때문에 고가의 장비를 필요로 하지 않고 제작 할 수 있는 간단한 방법이다. 이 발명은 가격이 저렴하고, 고밀도 및 전기적으로 정보를 저장할 수 있는 새로운 플래시 기억 소자에 응용할 수 있다.본 발명은 플래시 기억 소자에서 절연성 고분자 박막 안에 형성된 나노 입자의 크기 및 밀도를 조절하여 외부 전압의 크기를 변화함에 따른 기억소자의 필요한 최적의 전자 포획 및 방출 특성을 제어 할 수 있다. 절연성 고분자 안에 삽입된 ZnO 나노 입자는 전기적으로나 화학적인 안정하기 때문에 장시간 사용할 수 있는 플래시 기억 소자로서 응용할 수 있으며, 소자 제작 및 공정 방법이 간단하여 저비용으로 플래시 기억소자를 제작하는 방법을 제시하고 있다