일반기술
귀금속 나노 입자 형성 방식
본 발명은 귀금속 나노 입자 형성방법에 관한 것으로서, (a) 산성절연체전구체와 용매를 혼합한 용액을 상기 기판상에 스핀 코팅 방법으로 코팅한 후, 135℃로 제 2 중간 열처리를 수행하는 단계; (b) 상기 기판 상에 코팅된 산성절연체전구체위에 귀금속 박막 층을 증착하는 단계; (c) 상기 기판 상에 (a)와 같은 방법으로 산성절연체전구체를 코팅하여 중간열처리 하는 단계; (d) 절연체전구체와 귀금속 박막층 및 산성절연체전구체가 순차적으로 적층된 기판을 관상 노에서 단계적으로 최고온도가 200℃ 에서 500℃로 열처리하여 귀금속 나노 입자를 형성하는 단계; 를 포함한다. 상기 산성절연체전구체는 폴리아믹산 및 아크릴릭산 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다. 상기 (a)단계 이전에, 귀금속 박막 층을 증한 후 산성절연전구체를 스핀 코팅 방법으로 코팅한 후, 135℃로 제 2 중간열처리를 수행하는 단계를 포함한다.본 발명은 다층박막의 제조가 가능하고 귀금속 나노입자를 손쉽게, 고가의 장비 없이 형성할 수 있다.본 발명은 귀금속 나노 입자의 크기 및 밀도를 간단히 제어할 수 있다. 본 발명은 피복 및 증착방법이 단순하여 대면적 및 다층구조를 가지는 귀금속 나노 입자를 형성할 수 있다.본 발명은 패턴이 형성된 금속박막층 위에 절연체를 피복하여 원하는 부분에만 귀금속 나노 입자를 형성할 수 있다.본 발명은 다층박막을 이용하여 광학특성제어가 가능하다.
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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