일반기술

초음파 처리를 이용한 탄소나노튜브의 수직 배열 방법

본 발명은 초음파 처리를 이용한 탄소나노튜브의 기판 위 수직 배열 방법에 관한 것으로서, 화학적 기능기로 개질된 탄소나노튜브를 자기조립막이 형성된 기판위에 전기영동법을 이용하여 강한 화학적 결합을 이루도록 침적시킨 뒤, 상기 기판에 초음파를 가해주는 초음파 처리 공정을 추가로 실시함으로써, 기판 위에 탄소나노튜브를 효과적으로 수직 배열할 수 있는 탄소나노튜브의 수직 배열 방법에 관한 것이다. 본 발명은 탄소나노튜브 분산용액에 따로 이온화합물을 첨가하지 않고 DC 전계를 이용하여 기판이 오염될 수 있는 소지를 방지하고, 탄소나노튜브를 침적시킨 후 초음파 처리 공정을 추가로 하여 탄소나노튜브의 수직 배열 효과를 증진시킨 점을 특징으로 한다.본 발명은 화학적 기능기로 개질된 탄소나노튜브를 특정 이온 화합물의 사용 없이 디메틸포름아미드에 분산시켜 자기조립막이 형성된 기판 위에 침적시키는 전기영동 침적 공정과, 탄소나노튜브가 침적된 기판에 초음파를 가해주는 초음파 처리 공정을 포함하여 이루어짐으로써, 이온 화합물에 의한 표면 오염문제를 해결할 수 있고, 기판 위에 탄소나노튜브를 효과적으로 수직 배열할 수 있는 탄소나노튜브의 수직 배열 방법을 제공한다. 본 발명에 의해 수직 배열된 탄소나노튜브는 차세대 디스플레이 소자인 전계 방출 디스플레이(FED)의 팁으로 사용하기 적합하고, 또한 백라이트와 같은 광원으로서 활용 가능성이 높으며, 3차원 구조를 가지는 전자소자의 집적화에도 큰 일조를 할 수 있을 것이다.