일반기술

원자층 증착방법을 이용한 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 무기 채널층 및 배리어층 제조 방법

본 발명은 OLED 및 휨성 디스플레이에 적용할 수 있는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터(OITFT: organicinorganic thin film transistor)의 제조 시에 무기 채널층 및 무기 배리어층을 원자층 증착방법(ALD: atomic layer deposition)을 이용하여 제조하는 공정에 관한 것이다.본 발명에 따른 유기 무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 채널층의 재료로는 아연(Zn) 화합물이 사용되어지며, 배리어층으로는 알루미늄 산화물(Al2O3), 지르코늄 산화물(ZrO2) 등의 고유전율(high-k) 박막이 사용되어진다.본 발명에 따라 ALD 방법으로 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 채널층과 배리어층을 증착하면, 플라스틱기판 상에 열적손상을 가하지 않게 되어 휨성 디스플레이 분야에 적용이 가능하고, 종래의 유기 채널층과 비교하여 높은 이동도를 가지게 되며, 배리어층은 누설전류를 크게 낮추는 효과가 있다. 본 발명에 따라 ALD 방법으로 형성된 무기 채널층과 무기 배리어층을 가지는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터는 디스플레이 분야의 구동 트랜지스터에 응용될 수 있으며, 본 발명에 사용된 ALD 방법은 동일한 개념의 공정 어느 곳에든 적용이 가능하여 그 응용분야가 매우 넓다.