일반기술

고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프

본 발명은 고밀도 평판형 발광다오이드 백색 조명 램프의 제작공정에 관한 것으로서 특히, 사파이어 기판위에 다수의 발광칩들이 배열되도록 청색 또는 자색 발광다이오드 적층 구조를 형성하고 일체형 회로를 통해 작은 체적공간상에 집적된 조명램프에 관한 것이다. 여기서 일체형 회로는 기존의 개별적 발광다이오드를 갖는 양 및 음 전극을 각각 금속배선으로 연결하는 것으로서 웨이퍼 상의 발광다이오드 칩 위에 형광물질을 도포하고 고밀도로 집적화 시킴으로써 고휘도 백색램프를 구현하는 고밀도 평판형 발광다이오드 조명램프에 관한 것이다. 이상에서와 같이 본 발명은 기존의 방식인 웨이퍼위에 증착된 발광다이오드칩을 개별적으로 분리하여 에폭시 밀봉제로 감싸 만든 인디케이터 램프를 다수 조립한 반도체 백색 전등의 가시조도가 미약한 문제점을 보완한 것으로 웨이퍼위에 발광다이오드를 증착한 다음 칩간의 금속배선으로 회로를 구성함으로써 웨이퍼가 고휘도 가시용 조도를 갖는 백색전등의 기능을 갖는 효과를 제공한다.본 발명은 고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프에 관한 것으로, 고밀도 평판형 발광다이오드 램프의 제조공정에 있어서, 사파이어기판을 사용하여 유기금속화합물 화학 기상증착방법(MOCVD)으로 완충층위에 N-형 GAN 클래딩층을 성장시키는 제 1 공정과;상기 클래딩층위에 UNDOPED GAN층을 성장시키는 제 2 공정과;상기 클래딩층위에 MOCVD로 청색 발광 활성층을 성장시키는 제 4 공정과;상기 활성층위에 P-형 GAN 클래딩층을 성장시키는 제 5 공정과;상기 N-형 GAN 오믹접촉층에 까지 건식식각하는 제 6 공정과;상기 P-형 GAN층 위에 투명전극을 형성시키는 제 7 공정과;상기 N-형 GAN 오믹접촉층위에 N-형전극 금속배선을 형성시키는 제 8 공정과;상기 N-형 GAN 오믹접촉층위에 SIO2절연막을 형성시키는 제 9 공정과;상기 절연막위에 P-형 전극 및 금속배선을 형성시키는 제 10 공정과;상기 P-형 전극을 SIO2절연막으로 피복증착하는 제 11 공정과;상기 P-형 전극과 N-형 전극을 도출시키는 제 12 공정을 포함하는 것을 특징으로 제작된다.