일반기술

안정성이 향상된 소형 고체상 기준전극 및 이의 제조방법

본 발명은 실리콘계 고분자막, 퍼플루오리네이티드 아이노머막 및 폴리우레탄계막으로 순차적으로 적층되어 2년 이상의 보관수명 안정성을 나타내는 소형 고체상 기준전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 안정성이 향상된 소형 고체상 기준전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 은/염화은 층 상부면에 염화칼륨 등이 포함된 실리콘계고분자막, 퍼플루오리네이티드 아이노머막 및 폴리우레탄계막으로 순차적으로 적층시킨 것이다. 본 발명의 소형 고체상 기준전극은 전기화학측정법, 화학분석용 센서 및 혈중가스분석용에 이용할 수 있으며, 특히 2년 이상의 전극 수명 안정성을 나타내므로 매우 우수하다.본 발명자들은 실리콘계 고분자막, 퍼플루오리네이티드 아이노머막 및 폴리우레탄계막으로 순차적으로 적층된 소형 고체상 기준전극을 개발함으로써 재래식 기준전극과 동일한 전극 성능을 유지하면서도 우수한 수명 안정성을 나타낸다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하였다. 따라서, 본 발명의 목적은 재래식 기준전극과 동일한 전극 성능을 유지하면서도 우수한 수명 안정성을 나타내는 소형 고체상 기준전극 및 이의 제조방법을 제공하고자 하는데 있다.