일반기술

화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비 제어방법

*원리 및 구성본 기술의 선택비 제어방법은, 질화물층에 대하여 산화물층을 선택적으로 연마하여 제거하기 위한 화학기계적 연마용 슬러리 조성물의 선택비 제어방법에 있어서, 상기 슬러리 조성물은 세리아 연마입자, 분산제 및 음이온성 첨가제를 포함하며, 상기 슬러리 조성물에서 상기 음이온성 첨가제의 농도를 변화시키면서 상기 질화물층에 대한 상기 산화물층의 연마속도의 선택비를 확인하는 단계; 및 상기 확인된 연마속도의 선택비를 기준으로 하여, 상기 슬러리 조성물의 원하는 선택비에 해당하도록 상기 음이온성 첨가제의 농도를 첨가함으로써 상기 슬러리 조성물의 선택비를 제어하는 단계를 포함한다.*특징 첨가제의 농도와 연마제의 크기에 대한 연마 제거 속도 의존성의 관계를 규명하여, 질화물층에 대한 산화물층의 제거속도 선택비를 임의로 제어할 수 있는 슬러리 조성물 선택비 제어방법으로 슬러리 조성물을 사용하여 반도체 소자의 표면을 평탕하하는 방법을 제공하는 특징을 지닌다.*장점본 기술에 의하면 세리아 슬러리에서 음이온성 첨가제를 일정한 제어된 범위내에서 첨가함으로써 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도 선택비를 향상시킬 수 있으며, 첨가제의 농도를 변화시켜 슬러리 조성물의 연마속도 선택비를 원하는 바에 따라 제어할 수 있어서, 반도체 소자의 신뢰성이 향상된다는 장점이 있다.