일반기술

전계 효과 하에서 급속 열처리를 통한 다결정 실리콘 박막의 제조방법

*원리 및 구성본 기술은 전계 효과 하에서 급속 열처리를 통한 다결정 실리콘 박막 제조방법에 관한 것이다. 나노두께의 금속층이 선택적으로 증착된 비정질 실리콘 박막의 표면 양단에 전기장을 형성시키면서, 동시에 고온에서 단시간에 주기적 급속 열적 어닐링을 수행하여 결정화하는 일명 전계 유도 급속 열적 어닐링(FARTA) 방법으로 수행한다.*중요성 및 독창성종래의 다결정 실리콘 박막 제조방법에 비해 저온에서 나노 제어 기술을 통해 원하는 형태와 크기의 결정질 실리콘을 형성할 수 있고, 또한 공정 시간을 단축하며 박막 트랜지스터 소자에 응용 시 기존의 비정질 실리콘 및 금속을 이용한 다른 결정화 방법보다 높은 전계 효과와 이동도를 가지고 있어 빠른 응답속도와 고해상도의 구현이 가능하도록 한다.*특징 본 기술은 나노두께의 금속층이 선택적으로 증착된 비정질 실리콘 박막의 표면 양단에 전계를 인가하면서 급속열처리를 수행한다.*장점결정화가 전계(-)에서 (+)로 한쪽 방향으로 진행되므로 다결정 박막 트랜지스터 제작시 채널지역 불순물 오염을 줄일 수 있는 방법이며 또한 낮은 온도에서 짧은 시간안에 양질의 다결정 실리콘막을 얻을 수 있는 장점이 있다.*적용응용분야 및 시장성비정질 실리콘의 저온 결정화 기술은 비정질에 비해 특성이 우수한 결정질 실리콘을 형성하는 공정으로 평판 표시소자, 태양전지, 센서 등 21세기 여러 정보화 산업 분야에서 고성능 소자 형성을 위한 기술로 응용이 가능할 뿐 아니라 저온 다결정 TFT-LCD 시장 및 소형 평판표시소자 시장의 규모는 계속 증가추세에 있다.