일반기술

양자점 형성방법

*원리이 기술은 양자점 형성방법에 관한 것으로 1) 금속박막층을 기판 상에 증착 -> 2)상기 기판 상에 증착된 금속박막층 위에 절연체전구체를 코팅하여 형성 -> 3)상기 금속박막층 및 절연체전구체가 순차적으로 적층된 기판을 관상로에서 단계적으로 최고온도가 200℃ 내지 500℃가 되도록 열처리하여 금속산화물 양자점을 형성하는 기술이다. 특히 3)단계 이전에 금속박막층 및 절연체전구체가 순차적으로 적층된 기판을 80℃ 내지 150℃로 중간 열처리를 하며, 1) 단계이전에, 절연체전구체와 용매를 혼합한 용액을 상기 기판 상에 스핀 코팅 방법으로 증착한 후, 80℃ 내지 150℃로 제 2 중간 열처리를 한다.*기대효과이 기술은 금속산화물의 양자점의 크기, 밀도, 균질도를 간단히 제어할 수 있는 효과가 있으며 반도체 성질을 가진 금속산화물을 이용하여 반도체로서 이용 가능한 바, 피복 및 증착방법이 단순하여 대면적 및 다층구조를 가지는 반도체를 제조할 수 있는 효과도 있다. 또한 패턴이 형성된 금속박막층 위에 절연체전구체를 피복하여 원하는 부분에만 금속산화물 양자점을 형성할 수 있는 효과도 있다. *적용분야고속 광신호 처리소자, 차세대 광변조기, 광검출기, 광필터, 광분배기/혼합기 등의 수동 광 나노 소자 등에 응용 가능하다.