일반기술

능동 소자를 이용한 부성 저항 회로 및 그 회로를 이용한 공진기와 발진기

본 발명은 하나의 능동 소자와 하나의 저항을 이용하여 적은 면적을 차지하고 적은 소비 전력을 소모하는 부성 저항을 구현하고 이러한 부성 저항을 이용하여 회로의 손실을 최소화하여 공진 및 발진할 수 있도록 한 능동 소자를 이용한 부성 저항 회로 및 그 회로를 이용한 공진기와 발진기에 관한 것으로서, 능동 소자인 갈륨 비소 전계 효과 트랜지스터의 게이트를 일단자로 하고 드레인을 타단자로 하며, 게이트와 소오스 사이에 저항을 연결하여 부성 저항을 구현하고, 이 부성 저항과 인덕터를 병렬로 연결하여 공진기를 구현하고, 이 공진기의 일단자에 능동 소자인 전계 효과 트랜지스터의 드레인을 연결하고 그 소오스를 접지시켜 구현한 발진기를 제공함으로써, 전력 소모가 적고 비교적 적은 면적을 차지하고 선형성이 개선되어 개인 휴대 통신이나 차세대 이동 통신의 송,수신부, 기지국에 쓰이는 반도체 회로에 적용할 수 있는 것이다. 본 발명에 따른 능동 소자를 이용한 부성 저항 회로는 능동 소자인 전계 효과 트랜지스터의 게이트를 일단자로 하고 드레인을 타단자로 하며, 상기 게이트와 소오스 사이에 저항을 연결하여 구성한 것을 특징으로 하며, 전계 효과 트랜지스터는 갈륨 비소 전계 효과 트랜지스터로 사용하고 저항은 고정 또는 가변 저항인 것을 특징으로 한다. 이때, 가변 저항은 전계 효과 트랜지스터의 게이트와 소오스 사이에 제 2 의 능동 소자인 전계 효과 트랜지스터의 소오스와 드레인을 연결하고 그 게이트에 음전압을 인하여 구성하여 반도체 공정으로 구현할 수 있는 것을 특징으로 한다.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
보유기관
한국과학기술원
기술유형
일반기술
등록일
2000-04-24
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

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