일반기술

고전압 소자의 구조 및 그 제조 방법

*원리 및 구성이 기술은 고전압 소자가 형성되는 반도체 기판에 트렌치(trench)를 형성하고, 이 트렌치의 내부 측면에 게이트(gate)를 형성한 전계효과(field effect) 고전압 소자(high voltage device)의 구조와 그 제조 방법에 관한 것으로, 이 기술의 고전압 소자는 제 1 도전형 반도체 기판과, 상기 제 1 도전형 반도체 기판상의 소정 영역에 정의된 트렌치 영역을 제외한 상기 제 1 도전형 반도체 기판상에 형성된 제 1 도전형 제 1 반도체층과, 상기 트렌치 영역 하부의 상기 제 1 도전형 반도체 기판에 형성된 제 1 도전형 제 2 반도체층과, 상기 제 1 도전형 제 2 반도체층내에 형성된 제 2 도전형 드리프트 영역과, 상기 트렌치 영역 양측의 상기 제 1 도전형 제 1 반도체층에 형성되며, 상기 트렌치에 대응되는 방향의 소정영역에 형성된 소오스 영역과, 상기 제 2 도전형 드리프트 영역내에 형성된 드레인 영역과, 상기 제 1 도전형 반도체 기판 및 제 1 도전형 제 1 반도체층 사이에 절연막을 사이에 두고 상기 트렌치 영역 양측면에 측벽형상으로 각각 형성된 게이트 전극과, 상기 제 1 도전형 제 2 반도체층에 형성되며, 상기 게이트전극과 대응되는 방향의 상기 소오스 영역 측면에 형성된 제 1 도전형 제 3 반도체층과, 상기 소오스 영역 및 제 1 도전형 제 3 반도체층과, 상기 드레인 영역에 콘택홀을 통해 각각 연결된 소오스 및 드레인 전극을 포함하여 구성된다.*특징 및 장점저전압 소자 공정과 호환이 가능하면서, 수직형 게이트를 형성시켜 기존의 구조에서 게이트가 차지하는 면적을 줄일 수 있고 필드 플레이트를 추가적인 비용 없이 사용 할 수 있다. 또한 기존의 고전압 소자 구조에 비해 단위 면적당 전도저항이 매우 낮으며, 공정 호환성이 뛰어나다. *적용분야-고전압 집적회로에 사용되는 고전압 소자로 사용될 수 있다. -단위 면적당 전도저항이 매우 작은 고전압 소자로 사용될 수 있으며 필드 플레이트를 형성시키는 비용을 절감할 수 있다. -단위 면적당 전도저항의 감소로 인한 시스템의 성능 향상 및 비용 절감이 가능하다.