일반기술
메모리용 저전력 감지 증폭기(sense amplifier)회로
본 발명은 메모리 감지 증폭기 회로에 관한 것으로, 첫째 단의 차동 증폭기는 비트 라인의 작은 신호를 증폭하여 둘째 단으로 전달하는 동작을 하고, 둘째 단의 랫취 증폭기는 첫째 단의 신호를 충분히 증폭한 후 이를 출력함과 동시에 트랜지스터 스위치와 인버터로 이루어진 차단 회로가 둘째 단의 출력 신호를 받아 첫째 단의 PMOS 부하 저항을 끄게 하는 방식으로 첫째 단인 차동 증폭기의 전원을 차단함으로써 불필요하게 소모하는 전력을 줄이도록 한 메모리 감지 증폭기 회로에 관한 것이다. 차동 증폭기-랫취 증폭기형 감지 증폭기에 차단 회로를 추가하여 차동 증폭기-랫취 증폭기의 단점인 많은 소비 전력을 획기적으로 줄여 차동 증폭기-랫취 증기형 감지 증폭기의 장점인 빠른 속도와 랫취 증폭기-랫취 증폭기형 감지 증폭기의 장점인 저전력을 동시에 구현하였다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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