일반기술
선택적 산화막 다공성 실리콘층(SOPS) 제조방법 및 멀티칩패키지 응용
본 발명은 포토레지스트를 이용한 선택적인 산화막 다공성 실리콘층의 제조방법 및 그의 응용에 관한 것으로 기존의 제조방법에 비해 매우 간단한 공정과 낮은 제조 가격으로 MMIC( Monolithic Microwave Integrated Circuit) 및 OEIC(Opto-Electronic Integrated Circuit)의 페키지를위한 멀티칩 패키지 기판으로의 활용에 있어 열전도도 문제를 효율적으로 개선할 수 있다. 즉 수동소자는 선택적으로 산화된 산화층위에 제조하여 기판과의 기생성분을 최소화하고 선택적으로 산화되지 않은 실리콘층위에는 능동소자를 위치시켜서 와이어 본딩하거나 플립칩 본딩하으로써 멀치칩 패키지에 응용할수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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