일반기술
산화막 다공성 실리콘 기판을 이용한 초고주파 소자
본 발명은 산화막 다공성 실리콘 기판을 이용한 MMIC 구현을 위한 인덕터, 커패시터, 저항 등의 초고주파 소자에 관한 것으로서, 1GHz 이상의 초고주파 영역에서 발생하는 얇은 실리콘 산화막 아래에 있는 실리콘 기판의 반전도 특성에 기인한 신호 손실을 방지하기 위하여 실리콘 기판위에 종래에 이용되던 얇은 산화막 대신에 두꺼운 산화된 다공성 실리콘 층을 이용하여 소자를 집적시키는 것이다. 고주파 통신시에 수동소자의 기판과의 기생성분을 두꺼운 산화막을 이용하여 효과적으로 최소화하는데 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.