일반기술

전계 방출 표시 소자의 제조방법

본 발명은 전계 방출 표시 소자를 제조하는 방법으로서 상기 금속막 상단의 일 지점에 탄소나노튜브로 이루어지는 생장점을 형성시키는 단계와 탄소나노튜브를 다량 함유하고 있는 전해질 용액의 일 측에 대전 극판을 위치시키고 상기 전해질 용액의 타 측에 탄소나노튜브의 생장점이 형성된 부분을 상기 대전 극판에 대향하도록 기판을 위치시키는 단계와 상기 양극판 및 기판 각각에 전원을 인가하여 전해질 용액에 함유된 탄소나노튜브를 상기 기판의 탄소나노튜브 생장점 부분에 전기화학적으로 부착시키는 단계를 포함하여 이루어지는 전계 방출 표시 소자의 제조 방법을 제공함을 그 기술적 특징으로 한다.본 발명은 금속막 상단에 탄소나노튜브 입자들을 직접 성장시키거나 또는 증착시키는 종래 방법과 달리 탄소나노튜브 생장점을 먼저 형성시킨 다음, 방전 현상을 이용하여 탄소나노튜브 입자들을 국부적인 면적에 집중적으로 부착될 수 있도록 구성함으로써 방출되는 전자빔이 게이트 막 쪽으로 끌려가 발생하는 누설 전류를 획기적으로 감소시킬 수 있도록 해준다. 또한, 본 발명은 고온의 환경이 필요한 방식이 아니라 방전 현상을 이용한 전기화학적 방식으로 탄소나노튜브 에미터를 제조할 수 있음에 따라 기판의 재질과 무관하게 적용될 수 있다는 이점이 있다.