일반기술

매립형 쇼트키 전극을 이용한 고속수광 소자

본 발명은 쇼트키 전극을 매립시켜 구현할 수 있는 고속 수광소자에 관한 것이다. 본 발명의 수광소자는 매립된 쇼트키 전극을 공통적으로 가지는 소자로 종래의 수광소자보다 개선된 특성을 가진다. 본 발명의 소자는 쇼트키 다이오드를 형성하는 전극이 n-GaAs층 아래에 묻혀있으므로 기존의 수광소자에 비해 면적의 활용도가 높은 장점을 가지며, 쇼트키 접합을 이용하므로 기생용량이 적어서 고속특성이 기대된다. AlGaAs층은 본 발명의 소자의 수광부분을 되도록 전극 가까이에 두고 표면에서의 전자 전공의 손실을 줄이기 위한 것이다. 이와 같은 본 발명의 금속-반도체-금속 수광소자의 특성을 열거하면 다음과 같다. 첫째, GaAs층에 묻힌 쇼트키 전극을 가지므로 소광소자의 면적 이용률이 높다. 출째, 종래의 기술에서와 같이 쇼트키 전극에서 오는 적은 기생용량으로 고속동작이 가능하다. 셋째, 종래의 기술에서와 같이, 반절연성 GaAs기판을 사용하므로 다른 소자와의 집적화가 가능하다. 이상의 점으로 반절연성 기판 위에 MESFET와 집적화한 고속 수광소자와 전자소자와의 광전 집적회로가 가능하다.