일반기술

선택적 에피택시법에 의한 표면방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 제작시 에피택시(Epitaxy) 공정자체 내에서 자연적으로 45。거울반사면을 형성시킬 수 있게 한 선택적 에패택시법에 의한 표면방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것이다. 에피택시 공정 중 결정적층의 마스크를 이용하여 레이저 다이오드 형성부분과 45。거울반사면 형성부분을 정의하고, 그 정의 부분에만 선택적으로 AlGaAs/GaAs층을 적층하여 2개의 반도체 레이저와 1개의 45。거울반사면을 기본단위로 표면방출형 레이저 다이오드를 제작할 수 있다. 본 발명은 반도체 레이저 제작시 에피택시 공정자체 내에서 자연적으로 45。거울반사면을 형성시켜 표면방출형 레이저 다이오드를 제작하게 되므로 고가의 화학식각 장비가 필요하지 않게 되고, 제조공정이 간단해져 생산성이 향상됨과 아울러 대량생산이 가능해지고, 또 45。거울반사면의 반사성이 양호해지는 효과가 있다.