일반기술
Sb를 첨가한 비휘발성 기억소자용 PZT 박막 및 그 제조방법
본 발명은 Sb를 첨가하고 열처리를 한 비휘발성 기억소자용 강유전체 박막(PZT)과 그 제조방법에 관한 것이다. Sb의 첨가를 위해 Pb, Zr, Ti은 3인치 금속타겟을 이용하고 상하부 전극으로 Pt를 사용하여 DC reactive sputtering법으로 550℃에서 100분 동안 열처리를 한 강유전체 박막 및 그 제조법에 관한 것이다. 1×1011 싸이클까지 피로가 없는 좋은 특성
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전기·전자기 기능재료
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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