일반기술

탄소나노튜브를 이용한 진공게이지

본 기술은 반도체 공정에서 발생하는 가스의 상태를 측정하기 위한 필수 장치로 전자 방출원을 기존의 필라멘트에서 탄소나노튜브로 대체한 것이다. 기존의 필라멘트를 이용한 이온게이지의 경우, 가열을 통한 전자방출방식이었기 때문에 과도한 전력소모 및 x-ray, 열, 빛 등이 발생할 뿐만 아니라, 아웃개싱으로 인해 반도체 공정 환경을 변화시켜 큰 문제점으로 지적되어 왔다. 이러한 문제를 해결하기 위해 필라멘트에 의한 열전자 발생방법이 아닌 탄소나노튜브의 전계방출효과를 이용하여 저전압에서 냉전자를 발생시켜 고진공 측정이 가능한 이온게이지를 개발하였다.탄소나노튜브의 전계방출효과를 이용하여 저전압에서 냉전자를 발생시켜 고진공 측정이 가능한 이온게이지를 개발하였다.기술의 장점은 다음과 같다. - 저전압에서도 시간 지연이 없는 냉전자 발생하여 - 저전력으로 구동이 가능다. - 열, 빛, x-ray 발생 및 아웃개싱이 없다. - 소형으로 저렴한 가격으로도 제작이 가능하다. 기대효과 : - 국내의 계측기 산업 발전에 기여할 수 있으며, 특히 반도체 산업에서의 공정특성 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 국내외 특허 획득을 통한 기술 경쟁력 향상시킬 수 있다.