일반기술

질화물 반도체 및 그 제조방법

본 발명의 경우 현재까지 격자정합이 되는 기판의 부재로 사파이어나 SiC기판 등을 사용하며, 이종성장시 나타나는 선결합과 점결합등의결함을 줄이기 위해 복잡하고 비용이 많이 드는 ELOG,Pendeo epitaxy, SEG등의 성장방법을 이요한다. 그러나 이 기판은 근본적으로 저비용, 대면적화 등릐 효율성에 있어 심각한 문제점을 가지고 있다.본 발명은 질화물 반도체 및 그 제조방법에 관한 것으로 n형 Si기판상에 고품위, 고농도의 P형 질화갈륨층을 보다 단순한 공정과 저비용으로 성장시킬 수 있는 질화갈륨 및 반도체 그 제조방법에 관한 것이다.이를 위해, 기판 사에 버퍼층을 형성하는 단계와 상기 버퍼층에 인위적으로 도핑을 하지 않은 질화갈륨층을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 및 그 제조방법을 제공한다.본 발명에 따른 질화물 반도체 및 그 제조방법은, Si기관상에 버퍼층을 이용하여 도핑하지 않은 질화갈륨층을 성장시켜, 기존의 방법에 의한 P형 박막보다 고품위, 고농도의 P형 질화갈륨 박막을 보다 단순한 공정과 저비용으로 성장시킬 수 있는 장점이 있다.또한, 기판으로 Si를 이용하므로, 반도체의 대형화 추세에 탄력적으로 적응할 수있고,저비용으로 구현할 수 있게 한다.또한, n형 기판상에 p형 질화갈륨 박막 성장시 버퍼층을 사용하는데, 상기 버퍼층의 성장조건에 따른 4족 원소들을 이용한 GaN계열 박막을 전도성을 제어할 수있다.