일반기술

전송게이트를 포함하는 PMOSFET형 광검출기를 이용한 능동픽셀센서

본 발명은 CMOS 이미지 센서의 단위픽셀에 관한 것으로서, 전송 전압을 바이어스 전압으로 이용하는전송게이트를 포함하는 구성을 갖는 PMOSFET형 광검출기를 이용하여 설계한 능동픽셀센서에 관한 것이다. PMOSFET형 광검출기를 이용한 능동픽셀센서는 광검출기 내부에 형성되는 채널의 에너지 밴드를 변화시키는 전송게이를 포함하는 광검출기를 이용함으로서, 전송게이트를 갖는 3-Tr구조로서 구현될 수 있는 장점이 있으며, 이에 따라 가변 광감도를 가지면서도 집적도가 향상되는 효과가 있다. 본 발명은 CIS를 구성하는 능동필셀센서에 있어서, 가변 광감도를위해 전송전압을 바이어스 전압으로 이용하여 광검출기의 소스와 드레인 사이에 형성되는 채널의 에너지 밴드를 조절하는 전송게이트를 포함하는 구성을 갖는 PMOSFET형 광검출기를 포함함으로서, 가변 광감도를 위해 구성하는 추가적인 MOSFET을 구성하지 않아도 되므로, 민감한 광특성이 유지되면서도 집적도가 향상될 수 있는 특징이 있다. 또한 상기 광검출기에 의해 인지되는 빛의 밝기에 따라 상기 전송전압의 종류, 크기 및 인가 시간을 조절함으로서, 빛의 밝기에 의한 잡음을 제어할 수 있는 장점이 있으며, 특히 민감한 광특성을갖게 되므로, 암전류에 으한 잡음을 제어할 수 있는 특징이 있다.