일반기술
고유전율계 카패시터 조성물(2)
본 발명은 고유전율계 캐패시터용 자기 조성물에 관한 것으로 특히 PbO, Fe2O3, Nb2O5, Ta2O5 등의 산화물로 합성된 (1-x)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 - x Pb(Fe1/2Ta1/2)O3 2성분계에 배합비 x를 0.35 ≤ x ≤ 0.65으로 한 것을 주성분으로 하는 유전체 자기조성물에 Mn 산화물을 0.01 ∼ 0.5wt% 첨가한 것이다. 이 조성은 귀금속인 내부전극을 유전체 제조시 필요로 하지 않는 특징이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전기·전자기 기능재료
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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