일반기술

수평형 공진기 및 그 제조 방법

본 기술은 MMIC화가 가능한 수평형 공진기의 제조 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 압전층을 형성하는 제 1 단계; 상기 압전층을 소정 형상으로 패터닝하는 제 2 단계; 상기 압전층을 사이에 두고 상기 압전층과 연결되는 제 1 및 제 2 전극을 형성하는 제 3 단계를 포함하는 수평형 공진기의 제조 방법에 관한 것이다.본 기술은 무반사층 FBAR 공진기 구조로 종래의 수직형 공진기와 달리 공진기의 압전층, 상부 및 하부전극이 모두 기판 위에 놓여 있는 수평형 공진기 구조에 관한 것이다.본 기술은 무반사층 FBAR 공진기 구조로 종래의 수직형 공진기와 달리 공진기의 압전층, 상부 및 하부전극이 모두 기판 위에 놓여 있는 수평형 공진기 구조에 관한 것이다. 이를 위하여 본 기술은, 반도체 기판 상에 압전층을 형성하는 제 1 단계; 압전층을 소정 형상으로 패터닝하는 제 2 단계; 압전층을 사이에 두고 압전층과 연결되는 제 1 및 제 2 전극을 형성하는 제 3 단계의 공정을 수행하여 반도체 기판의 상부에 소정의 형상으로 형성된 압전층과; 압전층의 양측면에 연결되는 제 1 및 제 2 전극으로 구성된 수평형 공진기를 제공하므로써, FBAR의 전반적인 제조 공정 및 그 구조를 보다 더 간소화시킬 수 있는 효과가 있으며, 그로 인해 경제적으로 대량생산이 가능한 효과가 있다. 또한, 에피텍셜 성장, 에칭 및 전극형성 기술을 그대로 이용할 수 있으므로 균일한 물리적, 전기적 특성을 가진 압전층의 성장이 가능하므로 공진기 및 여러 개의 공진기를 결합해야 형성되는 필터나 듀플렉서 등을 제조하는데 매우 큰 장점이 있다.