일반기술

이종접합 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 이를 이용한 전력 증폭기

본 기술은 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 구조에 있어서, 반절연성 반도체 기판의 상부에 형성된 콜렉터 에피층; 상기 콜렉터 에피층 상부에 순차적으로 적층된 콜렉터층 및 베이스층; 상기 콜렉터층 및 베이스층이 형성되지 않은 상기 콜렉터 에피층 상부에 형성된 콜렉터전극; 상기 베이스층의 상부에 소정 간격 분리된 제 1 및 제 2에미터층; 상기 제 1 및 제 2에미터층 사이에 드러난 베이스층 상부에 형성된 베이스전극; 및 상기 제 1 및 제 2에미터층 상부에 형성된 제 1 및 제 2에미터전극을 구비한 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 구조에 관한 것이다.본 기술은 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 이를 이용한 전력 증폭기에 관한 것으로, 특히 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 구조에 있어서, 반절연성 반도체 기판의 상부에 형성된 콜렉터 에피층과, 콜렉터 에피층 상부에 순차적으로 적층된 콜렉터층 및 베이스층과, 콜렉터층 및 베이스층이 형성되지 않은 콜렉터 에피층 상부에 형성된 콜렉터전극과, 베이스층의 상부에 소정 간격 분리된 제 1 및 제 2에미터층과, 제 1 및 제 2에미터층 사이에 드러난 베이스층 상부에 형성된 베이스전극과, 제 1 및 제 2에미터층 상부에 형성된 제 1 및 제 2에미터전극을 구비한다. 그러므로, 본 기술은 에미터전극 두 개와 베이스전극 하나로 HBT 단위 소자를 구성함으로써 콜렉터/에미터의 열적 소스를 2 경로로 분산해서 소자내 발생하는 온도 상승률을 줄일 수 있다. 게다가, 제 1 및 제 2에미터전극 사이에 베이스전극을 두고, 제 1 및 제 2에미터전극의 외측에 각각 콜렉터전극들을 배치한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 단위 소자를 어레이로 연결함으로써, 소형화와 더불어 열에 의한 전류 붕괴 현상을 억제시키면서 출력 전력을 높일 수 있다. 이러한 특성에 의해서 무선 통신 시스템의 전력 증폭기소자로써 사용이 가능하다.