일반기술

중합체 패턴의 형성 방법

본 기술은 중합체 패턴의 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 원자전이 라디칼중합 및 광식각법에 의해 중합체 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 원자전이 라디칼중합(atom transfer radical polymerization, ATRP)용 중합 개시제를 고체 기질상에 자기조립시킨 후 광식각법에 의해 일정한 패턴의 분자막을 형성한 다음 중합을 실시하여 중합체 패턴을 형성하며, 이와 같은 방법으로 형성된 중합체 패턴은 미세전자회로 제작에 필요한 에칭용 마스크로 유용하고, 화학적인 안정성을 이용하여 미세유로설계(microfluidics)와 같은 미세전기기계 시스템(Microelectromechanic System, MEMS) 및 생명 공학 분야에도 응용 가능하다.기질 표면에 자기 조립된 ATRP용 중합 개시제 박막을 자외선, X-선, 또는 전자선을 이용하여 패턴화 하고, ATRP방법으로 상온에서 중합체 패턴을 유도하는 본 기술의 방법은 1)다양한 파장의 빛 및 전자를 사용할 수 있다는 장점을 가지고 있으며, 2)또한 상온에서 중합체를 제조하기 때문에 표면에 물리적으로 흡착되는 중합체가 존재하지 않는다는 장점을 갖고 있으므로 빠르고 손쉽게 원하는 중합체 패턴을 제조할 수 있으며,3)이렇게 하여 형성된 중합체 패턴은 에칭 마스크로서 뿐 만 아니라 미세전자회로, 미세유로 등의 설계에도 이용이 가능하다.