일반기술

반도체 소자 및 그 제조 방법

본 기술은 반도체 소자에 관한 것으로서,더욱 상세하게는 본 기술에 의한 반도체 소자의 구성요소는,반도체 기판과 상기 반도체 기판과 반대의 도핑구조를 갖도록 형성된 웰(well)과 상기 반도체 기판 또는 상기 웰의 영역에 형성된 다수개의 게이트, 소스, 드레인 및 웰콘택과 상기 게이트, 소스, 드레인 주위에 상기 게이트와 전기적으로 구분된 게이트 또는 금속배선으로 형성되는 필드전극과 상기 필드전극에 상기 게이트, 소스, 드레인 및 웰콘택의 단자와 별개로 상기 필드전극에 전압을 인가할 수 있는 단자를 포함하고, 상기 다수개의 게이트, 소스, 드레인 및 웰콘택은 소정의 MOS 소자를 이루고, 상기 필드전극은 상기 반도체 기판 또는 상기 웰의 면저항을 증가시키는 작용을 한다. 그리고, 본 기술에 따른 반도체 소자의 제조방법은, 반도체 기판에 활성영역으로서 웰(well) 영역을 형성하는 단계와 상기 웰 영역에 소스, 게이트, 드레인 및 웰콘텍으로 이루어지는 MOS 소자를 형성하는 단계 및 상기 소스, 게이트, 드레인 및 웰콘택 주위에 상기 반도체 기판 또는 웰의 면저항을 증가시키는 소정의 필드전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 기술에 따른 반도체 소자 및 그 제조방법은 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate), 웰(Well)로 형성된 모스펫(MOSFET) 반도체 소자의 주위에 필드게이트(Field Gate) 또는 메탈(Metal) 배선으로 이루어진 필드전극을 형성하고, 이 필드전극에 전압을 인가하여 필드전극 밑 부분의 웰 또는 기판의 일부분 영역을 공핍(Depletion) 또는 축적(Accumulation)하여 웰 또는 기판 저항을 변화시킴으로써 반도체 소자의 초고주파 특성을 개선하고 그 특성의 조절을 쉽게 할 수 있도록 하는 이점을 제공한다.