일반기술

우수한 스텔라이트 6육성층을 얻기 위한 플라즈마 육성용접 방법

본 기술은 우수한 스텔라이트 6 육성층을 얻기 위한 플라즈마 육성용접방법에 관한 것으로, 강재나 철의 표면 육성을 위하여 중량%로 C:1.2, Ni:2.1, Cr:28.0, Co:62.9, Fe:1.8, W:4.0의 스텔라이트 6를 사용하여 플라즈마 육성시 예열 온도는 50∼100℃로 하고, 분말 송급 속도는 2.0∼2.2㎏/hr, 토치 이송속도는 6.0∼8.0㎝/min, 아크 전류는 140∼160A, 오시레이션(oscillation) 속도는 70∼100㎝/min로 플라즈마 육성하여 낮은 희석율과 높은 표면 경도를 지니도록 구성된 기술임강재나 철의 표면 육성을 위하여 중량%로 C:1.2, Ni:2.1, Cr:28.0, Co:62.9, Fe:1.8, W:4.0의 스텔라이트 6를 사용하여 플라즈마 육성시 예열 온도는 50∼100℃로 하고, 분말 송급 속도는 2.0∼2.2㎏/hr, 토치 이송속도는 6.0∼8.0㎝/min, 아크 전류는 140~160A, 오시레이션 (oscillation) 속도는 70∼100㎝/min로 플라즈마 육성하여 낮은 희석율과 높은 표면 경도를 지니도록 하여서 됨을 특징으로 하는 우수한 스텔라이트 6 육성층을 얻기 위한 플라즈마 육성용접 방법.