일반기술

세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

n형 유기 반도체 화합물을 사용하여 세로형 유기트랜지스터를 제작하고, 그 밑에 고분자 발광층과 정공 주입층을 도입하여 단일 소자에서 발광을 구동할 수 있는 세로운 개념의 복합형 발광트랜지스터를 제작하였다. 본 연구로 인하여 향후 유기 태양전지 및 유기 전자소자분야의 연구 및 사업화에 큰 기여를 할 수 있으리라 기대된다. 또한 트랜지스터의 on/off ratio의 증가, 구동전압의 감소, 높은 양자효율로 인하여 시장성이 증가하였다. 본 연구로 인해 개발된 트랜지스터는 간단한 공정으로 제작이 가능하며 n형 활성물질을 트랜지스터의 제작에 이용함으로써 물질의 성능향상에 크에 기여하리라 생각된다.본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 가로형 유기 박막 트랜지스터와 달리 ITO 드레인 전극 및 A1 소스 전극 사이에 A1 게이트 전극이 위치하며, 상기 전극 사이에 각각 적층되는 유기 반도체 화합물로 이루어진 유기 활성층을 포함하는 바, 상기 전극 및 유기 활성층 전체를 세로방향으로 적층함으로써, 저전압으로 고효율을 얻을 수 있으며, 특히 발광특성을 갖는 고분자 발광층을 유기 반도체 화합물의 저부에 간단히 적층하여 유기 발광소자를 제작할 수 있는 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이 발명 기술을 통하여 전자캐리어 이동도가 우수한 n형 활성 유기물질을 사용하여 세로형 유기 트랜지스털르 제작하여 on/off ratio를 증가시켰으며 구동전압을 감소 시켰다. 또한 이를 이용하여 높은 양자효율을 가지는 발광 트랜지스터를 제작하였다.