일반기술

단당류 유도체를 이용한 구리배선용 초저유전막

본 발명은 단당류 유도체를 이용한 구리배선용 초저유전막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기공형성용 템플레이트로 알콕시실란 말단기를 갖는 단당류 유도체가 포함되어 있는 초저유전성 조성물을 박막화 한 다음 경화 및 고온 열처리를 통하여 제조한 것으로, 단당류 유도체가 포함되어 제조된 유전막은 유전율이 낮고 기계적 강도가 매우 우수할 뿐만 아니라 2 NM 이하의 매우 작은 기공크기를 갖기 때문에 구리배선용 차세대 반도체의 층간 절연막으로 유용할 것이며, 이 기술은 나노기공을 함유한 초저유전막에 관한 것이다.본 발명은 기공형성용 템플레이트로 유용한 알콕시실란 말단기를 갖는 단당류 유도체, 상기한 단당류 유도체를 함유하는 초저유전성 조성물, 그리고 이 조성물로부터 제조된 초저유전막을 그 특징으로 한다. 이 기술은 유전율이 매우 낮고 동시에 우수한 기계적 강도를 갖는 나노기공을 함유한 초저유전막 제조에 관한 지속적인 연구 결과로 얻어진 것으로, 단당류의 알릴화 및 하이드로실릴화 반응을 수행하여 단당류 유도체를 합성하였고, 합성된 단당류 유도체는 말단에 알콕시실란기가 결합되어 있어 졸-겔 반응에 의한 중합 및 경화가 가능하여 초저유전막 제조를 위한 기공형성용 템플레이트로 유용함을 알게됨으로써 완성하게 되었다.