일반기술

원자층 침착법을 이용한 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법

*원리 및 구성본 발명은 니켈 산화물 박막을 원자층 침착법으로 제조하여 차세대 비휘발성 메모리 소자인 RRAM의 니켈 산화막 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 물리적 침착 방법으로 제조하는 니켈 산화물 박막에 비하여 우수한 박막 특성과 저항 전환(resistance switching) 현상을 보이는 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있어 이를 RRAM 소자로 잘 응용할 수 있다.*배경니켈 산화물(Ni oxide)은 우수한 전기적, 자기적, 광학적 특성으로 말미암아 현재 p-형 투명 전도성 박막, 화학 센서, 전기 변색 디스플레이, 스핀 밸브 박막의 반상자성 층, 리튬 이온 전지의 코팅 재료, 그리고 리튬과 알루미늄의 도핑에 의한 고유전율 물질 등으로 그 응용이 다양하다.본 발명에 따른 원자층 침착법에 의한 니켈 산화물 박막의 제조 방법은 1)기존의 물리적 침착 방법에 비하여 박막의 표면 거칠기가 아주 작음.2)낮은 온도에서 공정이 가능.3)얇은 박막에서도 그 두께 의 조절이 아주 용이한 장점.4)조성이 정확한 대면적 박막과 고랑이나 구멍 등이 있는 삼차원 구조의 기질에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수있음.5)우수한 저항 전환 현상을 보임으로써, 본 발명의 니켈 산화물 박막은 비휘발서 RRAM 소자의 제조에 적용될 수 있음.