일반기술

용존산소 제거용 촉매 첨착형 다공성 고분자막 및 이의제조 방법

*원리 및 구성본 발명은 용존산소 제거용 촉매 첨착형 다공성 고분자막 및 이의 제조 방법에 곤한 것으로서, 더욱 상하게는 상전이 공정에 의해 특정량의 알루미나를 함유시켜 높은 기공율과 극성의 표면을 형성하는 다공성 고분자막에, 팔라듐 및 백금 중에서 선택된 전이금속을 일정량 첨착된 다공성막으로, 종래에 비해 상기 전이금속의 유실이 적고, 다공성막의 기공을 통하여 수소기체 공급이 원활하므로 공정상의 안정성 확보가 가능하여 2차 오염물질이 발생되지 않는 반도체, 발전소, 미생물의 배양, 식품과 의약품 제조 및 발효산업 등의 다양한 분야에서 적용 가능한 용존 산소 제거용 촉매 첨착셩 다공성 고분자막 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.*배경반도체 제조공정 또한 용수 중의 용존산소가 제품의 품질에 영향을 많이 미치는 공정 중 하나이다. 반도체 제조 공저에 사용되는 초순수는 실리콘웨이퍼를 에칭한 후 세정수로 사용되는데, 이때 반도체 세정수 내에 용존산소가 존재할 경우 산소 농도가 미량이라도 반도체 디바이스 표면에 자연 산호막을 형성하여 디바이스 성능을 저하시킨다. 그러므로 고품질의 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 반도체 세정수 내의 용존산소량을 감소시킬 수 있는 기술의 개발이 필요하며, 반도체의 직접도가 향상될수록 요구되는 초순수의 수질도 이에 상응하여 점차 고순도로 요구된다.*종래기술용수중의 용존산소를 제거하기 위하여 촉매를 사용하는 기술은 공지된 사실이나, 종래기술의 경우 상기 촉매를 고분자 이온교환수지에 담지하여 충전탑에 충진시켜 사용하였다. 그러나, 본 발명은 촉매를 다공성 고분자막에 첨착시켜 사용하는 새로운 막반응기 형태의 용존산소 제거방법으로써, 사용되는 고가의 귀금속 촉매의 유실을 막고 별도의 충진 공정이 요구되지않아 공정상의 용이성이 개선되며, 또한 일정크기로 조절된 다공성 막의 세공을 통하여 반응에 필요한 적정양의 수소기체를 공급한다는 점에서 공정상의 안정성 확보가 가능하다.또한, 통상적인 다공성 고분자막에 촉매를 첨착시킬 경우 고분자막의 기공도가 낮아 이를 용존산소 제거를 위한 공정상에 사용하는 한계가 있으나, 아루미나를 함유한 다공성 고분자막의 경우 막의 기공도가 높고 안정적으로 촉매를 첨착시킬 수 있어 용존산소 제거용으로 사용이 가능하다.즉, 본 발명은 단순히 다공성 지지체에 공지된 촉매르 f처막시키는 것이 아니라, 기공도가 향상되고 기공크기각 일정하게 조절된 특정의 다공성 고분자막에 용존산소 제거를 위한 촉매를 상온의 반응조건에서 첨착하여 촉매막을 제조하고, 제조된 막을 막반응기 형태로 공정사엥 적용하여 용존산소 제거를 수행하는 것으로, 이에 대한 문헌이나 공지된 바가 없다.*특징 및 장점1)용수 중에 용존산소를 제거함에 있어 별도의 화학물질을 사용하지 않고 용존산소를 제거함으로써 2차 오염물질을 배출하지 않음.2)고가의 촉매유실을 방지가 가능하고, 동시에 효과적인 용존산소 제거능을 가져 반도체, 발전소, 미생물의 배양, 식품과 의약품 제조 및 발효 산업 등의 다양한 분야에서 그 효과가 기대됨.