일반기술

수평형브리지만법에의한고품위N-형GAAS단결정성장방법

고품위의 재현성있는 단결정 성장을 위해 규소를 3x1018cm-13이상 도우핑하여 에치피드밀도<-500cm-2의 고품위가 40%이상 되도록 한다. <구성>GaAs 용융부는 1240-1250도C의 온도 영역을 갖게하고 앰푸울의 끝부위는 1100-1050도C가 되게하여 온도구배가 1230-1240도C 사이에서 5도C/cm, 1240-1250도C 사이에서는 1도C/cm이하로 되게하고 성장속도는 시이드부는 3mm/시간, 쇼울더부는 5mm/시간, 잉곳트 보디부는 4mm/시간로, 냉각속도를 1200-1000도C까지는 1도C/분, 1000-800도C까지는 2도C/분, 800도C 이하에서는 10도C/분 정도로 제어하여 3-5x1018cm-3의 전자농도로 규소를 도핑하여 제조한다.1 - Si을 (3∼5)×1018cm-3 이상으로 도핑할 때 발생하는 고-액 계면의 불안정 요인을 해소하고자 열적균형을 고려하여 성장 조건을 적용하고, 성장이 진행함에 따라 잉곳트에 따로 열처리 효과가 가해지도록 앰푸울 끝부위에서부터 평평한 온도대를 두어, 성장후 열응력이 크지 않도록 하고, 상온으로의 냉각시 냉각속도를 제어하는 것으로 이루어지는 수평형 브리지만법에 의한 고품위 n-형 GaAs 단결정 성장방법. 2 - 제 1 항에 있어서, 상기의 결정성장조건을 온도구배 5℃/cm 및 성장속도 3∼5mm/hr로 가변적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 수평형 브리지만법에 의한 고품위 n-형 GaAs 단결정 성장방법.3 - 제 1 항에 있어서, 상기의 평평한 온도대는 1050℃∼1100℃인 것을 특징으로 하는 수평형 브리지만법에 의한 고품위 n-형 GaAs 단결정 성장방법.4 - 제 1 항에 있어서, 상기의 냉각속도는 1200∼1000℃까지는 1℃/분, 1000∼800℃까지는 2℃분, 800℃이하에서는 10℃/분 정도인 것을 특징으로 하는 수평형 브리지만법에 의한 고품위 n-형 GaAs 단결정 성장방법