일반기술

수직온도구배감소법에의한GAAS단결정성장시,고상-액상계면을평탄하게하는방법

본 발명은 수직온도 구배감소법에 의한 GaAs단결정 성장시 성장변수가 고상-액상계면 형상에 미치는 영향 및 성장변수의 조절에 의한 고상-액상계면 형상의 개량방법에 관한 것으로서, 축방향 온도구배 영역의 축방향 온도구배를 증가시키거나, 고온 영역의 온도구배를 감소시키거나, 보우트의 콘각도를 증가시키거나 또는 성장률을 증가시키는 것 중 어느 하나 이상의 것을 선택하여 수직온도 구배감소법에 의한 GaAs단결정 성장시, 고상-액상계면을 평탄하게 하는 방법이다제1도는 본 발명의 축방향온도구배에 따른 고상-액상 계면 형상변화를 나타내는 선도.제2도는 본 발명의 Tf의 변화에 따른 고상-액상 계면 형상의 변화를 나타내는 선도.제3도는 본 발명의 보우트의 콘각도의 변화에 따른 고상-액상 계면 형상의 변화를 나타내는 선도.축방향 온도구배 영역에 축방향 온도구배를 증가시키거나, 고온영역의 온도구배를 감소기키거나, 보우트의 콘각도를 증가시키거나 또는 성장률을 증가시키는 것중 어느 하나 이상의 것을 선택하여 수직온도 구배감소법에 의한 GaAs 단결정 성장시 고상-액상 계면을 평탄하게 하는 방법.