일반기술

화합물반도체의단결정을성장시키기위하여시이드를시이드벽에설치하는방법

본 발명은 화합물 반도체의 단결정을 성장시키기 위하여 시이드를 시이드벽에 설치하는 방법에 관한 것으로서 단결정에서 전위밀도가 적은 양질의 부분을 절단기로 절단하고, X선 라우에법으로 방위를 측정하고 나서 시이드가 보우트의 시이드벽에 놓일 때 수평면이 (211)이 되고 길이방향(111)이 되도록 적당항 크기의 직육면체로 가공하고 상기의 직육면체의 시이드를 성장용 보우트의 시이드벽에 꼭 맞게 각면을 연마제로 가공하여 상기의 시이드를 시이드벽에 설치하고 나서 시이딩시 시이드의 흔들림을 방지하여 쌍정 및 다결정의 성장을 제어하기 위하여 시이드벽 상단에 석영바아를 부착시키고 유기약품으로 전처리한 다음, 에칭용액으로 에칭하는 것으로 구성되며 본 발명의 방법을 사용함으로써 종래의 문제점인 쌍정 및 다결정 생성이 완전히 제거되어 고품위의 n-형, p-형 단결정을 얻을 수 있다.단결정에서 전위밀도가 적은 양질의 부분을 절단기로 절단하고 X선 라우에법으로 방위를 측정하고 나서, 시이드가 보우트의 시이드벽에 놓일때 수평면이(211)이 되고 길이방향(111)이 되도록 적당항 크기의 직육면체로 가공하고 상기의 직육면체의 시이드를 성장용 보우트의 시이드벽에 꼭 맞게 각면을 연마제로 가공하여 상기의 시이드를 시이드벽에 설치하고 나서 시이딩시 시이드의 흔들림을 방지하여 쌍정 및 다결정의 성장을 제어하기 위하여 시이드벽 상단에 석영바아를 부착시키고 유기약품으로 전처리한 다음, 에칭용액으로 에칭하는 것으로는 화합물 반도체의 단결정을 성장시키기 위하여 시이드를 시이드벽에 설치하는 방법. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임