일반기술

갈륨비소단결정성장시의쌍정방지방법

수평 브릿지만(Horizontal Bridgman)법에 의한 n-형 갈륨비소(GaAs) 단결정 성장에서의 쌍정 방지방법에 관한 것으로서, 종래의 2T 또는 3T-HB법에서, Si이 도핑됨에 따라 갈륨비소 용융물의 화학량에 미세한 변화에 기인하여 석영반응관을 채우는 비소(As) 증기압의 변화를 초래하여 쌍정 또는 다결정화 등이 발생되는 문제점을 해결하기 위하여, 석영방응관의 내부가 항상 1기압을 유지하도록 비소(As)영역의 온도를 조절함으로서 갈륨비소 단결정성장시의 쌍정을 억제하는 방법이다.비소(As) 증기압 제어부를 구비한 저온 2 온도영역(Two Temperature Zone) 또는 3 온도영역(Three Temperature Zone) 수평 브릿지만법에 의해 n-형 갈륨비소(GaAs) 단결정 제조방법에 있어서, 갈륨비소(GaAs) 용융영역의 온도(1)를 1250~1270℃로, 비소(As) 증기압 제어부의 온도(T2)를 610~635℃하고, 온도구배를 2-4℃/cm로, 성장속도를 2-4mm/hr로 하되, 도핑되지 않았을때는 상기 비소 증기압 제어부(T2)의 온도를 610~620℃로, Si 농도가 1~9×1017cm-3에서는 620~630℃로, Si 농도가 1~4×1018cm3일때는 630~635℃로 하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 단결정 성장시의 쌍정 방지방법. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.