일반기술

세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

본 발명은 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 가로형 유기 박막 트랜지스터와 달리, ITO 드레인 전극 및 A1 소스 전극 사이에 A1 게이트 전극이 위치하며, 상기 전극 사이에 각각 적층되는 유기 반도체 화합물로 이루어진 유기 활성층을 포함하는 바, 상기 전극 및 유기 활성층 전체를 세로방향으로 적층함으로써, 저전압으로 고효율을 얻을 수 있으며, 특히 발광특성을 갖는 고분자 발광층을 유기 반도체 화합물의 저부에 간단하게 적층하여 유기 발광 소자를 제작할 수 있는 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 의하면, 채널길이가 짧아 전류 밀도가 커지게 되어 높은 전류특성을 보이는 바, 이러한 높은 전류특성은 평판 디스플레이의 구동소자로의 응용에 매우 적합하며, 낮은 주파수 영역에서 트랜지스터의 활용이 가능하여 소형의 전자 디바이스로의 활용이 가능하다. 특히 이동도가 우수한 n형 반도체 물질을 유기 활성층으로 사용할 경우 뛰어난 스위칭 특성을 보이는 효과가 있다.