일반기술

광대역반도체 기반의 방사선검출기 제작 기술

○ 실리콘 소자의 물리적 한계를 극복하기위하여 여러 가지 화합물 반도체가 연구되고 있으며, 차세대 반도체 소자 재료로서 SiC, GaN, AlN, ZnO 등의 광대역 반도체 재료가 많이 연구되고 있음. ○ 이들 광대역 반도체 중 현재 단결정 ingot 성장 기술이 확보되어 기판으로서 생산 가능한 것은 탄화규소 재료 밖에 없음. ○ 탄화규소는 물리, 화학적으로 안정한 특성을 가지기 때문에 고온, 고선량 방사선 환경에서 동작하는 센서 제작이 가능.○ SiC반도체 방사선 센서 제작을 위해서는 기존 반도체 제조공정과 차별된 공정 개발이 필요함. ○ SiC반도체의 물성을 고려한 cutting process 조건 확보, 단순화된 화학 에칭 공정 개발, 표준화된 holder를 이용한 금속막 증착 공정 개발 ○ 제조 공정단계의 추가를 통하여 중성자 검출기 제작도 가능 ○ 시제품 개발을 통한 알파선 스펙트럼 측정. ○ 탄화규소는 물리, 화학적으로 안정한 특성을 가지기 때문에 고온, 고선량 방사선 환경에서 동작하는 센서 제작이 가능.