일반기술

플라즈마 공정 챔버의 최적화 진단 시스템 및 진단 방법

본 발명은 플라즈마 공정에 대한 이론적 모델을 통해 전산모사를 효율적으로 수행할 수 있도록 한 플라즈마 공정 챔버의 최적화 진단시스템 및 진단방법에 관한 것이다. 본 발명은 플라즈마 챔버 내부에서 일어나는 물리/화학적 변화에 대한 기초 이론적 모델의 수치 해석을 통해 플라즈마 챔버를 전산모사하는 시뮬레이터와; 상기 플라즈마 챔버의 전산모사에 대한 시작이나 종료 등 시뮬레이터의 구동을 제어하는 서버와; 상기 플라즈마 챔버의 전산모사에 대한 모든 입력 및 출력 데이터를 생성/관리/제어하는 클라이언트를 포함하는 VIP-SEPCAD로 구성된다.; 본 발명에 의하면, 플라즈마 및 표면화학반응에 중요한 역할을 하는 화학적 활성종들의 특성을 효율적으로 제어할 수 있어 반도체의 품질 및 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 플라즈마를 효율적으로 종합 진단/측정할 수 있으며, 플라즈마 챔버의 설계와 공정조건을 최적화 할 수 있다.본 발명에 따른 플라즈마 공정 챔버의 최적화 진단 시스템 및 진단 방법에 의하면, 플라즈마에 대한 이론적 모델 및 이를 연계한 전산모사를 통해 플라즈마 챔버 내부에서 일어나는 다양한 물리/화학적 현상들에 대한 특성을 용이하게 파악/예측할 수 있다.또한, 사용자가 플라즈마 챔버의 구조 설계 및 운전조건들을 용이하게 입력할 수 있고, 필요한 이론 모델만의 선택으로 전산모사를 실행할 수 있으며 그에 따라 선택적인 특성분석이 가능함은 물론 전산모사하는 동안 중간결과를 지속적으로 추적하여 분석할 수 있는 장점이 있다.또한, 플라즈마 및 표면화학반응에 중요한 역할을 하는 화학적 활성종들의 특성을 효율적으로 제어할 수 있어 반도체의 품질 및 생산성을 향상시킬 수 있다.또한, 본 발명은 플라즈마를 효율적으로 종합 진단/측정할 수 있으며, 플라즈마 챔버의 설계와 공정조건을 최적화 할 수 있다. 따라서, 플라즈마 장비의 개발에 소요되는 시간과 비용을 절감할 수 있고, 장비의 성능을 극대화시킬 수 있는 장점이 있다.