일반기술

육성용 용접와이어

본 기술은 금속분말 합금을 이용한 육성용 용접와이어에 관한 기술로서, 보다 상세하게는 종래의 용접와이어보다 얇은 모재에 대해서도 사용이 가능하여 가벼운 웨어플레이트를 제작할 수 있고, 희석률이 낮아 모재근처의 육성부에서도 충분한 합금화가 이루어진 육성층을 얻을 수 있는 기술이다.본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 제철소의 원료 및 소결광의 처리시설의 스크린, 호퍼(Hopper), 시멘트공장의 파쇄, 화력발전소의 원료탄 장입부 등 육성용접할때 사용될 수 있다. 현재 일반적으로 사용되는 육성용 용접와이어는 희석률이 높기 때문에 특히 1-2층의 육성용접을 하는 박판의 육성용접의 경우에는 제 1층 육성부에서의 재질이 요구되는 조건보다 낮아지는 경향이 있어 문제가 되고 있으며, 용입정도가 심해서 판에 구멍이 발생하는 단점이 있다. 하지만 본 기술은 희석에 의한 용접와이어의 합금성분의 저하정도가 개선된 용접금속을 얻을 수 있고, 희석율이 종래보다 낮은 육성용 용접와이어를 제공하는 기술로서 그 중요성이 증가하고 있다.본 기술은 플럭스, 후프로 그 구성이 이루어지며, 각 구성에 대한 내용은 다음과 같다.- 첫째, 외이어 내부에 충전되는 플럭스는 아크 용접시 발생하는 아크열을 흡수하게 되므로, 가능한한 충전율이 높을수록 동일입열량의 조건이면 모재로의 열량이입이 적게되어 희석율을 줄일 수 있다.- 둘째, 후프는 그 성분이 0.04 C - 0.25 Mn-나머지 Fe로 구성된 냉연강재이다. 후프선단과 모재표면의 용접부 사이에서 아크가 발생되면서 용접이 이루어지는데, 용접와이어의 경우에는 전기가 후프를 통해 흐르게 되므로 후프의 두께를 0.25-0.34 mm로 최적화시켰다.본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 자동용접기에 사용될 수 있는 것으로 주로 제철소의 원료 및 소결광의 처리시설의 스크린, 호퍼(Hopper), 시멘트공장의 파쇄, 화력발전소의 원료탄 장입부 등 육성용접할때 사용되고 있다.본 기술이 기존기술보다 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다.두께가 0.25-0.34mm인 일반 냉연강 후프를 튜브라형태로 가공하여 만든 외피와 그 내부에 층전율이 48-55% 이도록 충전된 플럭스로 구성된 것으로, 이에 의해 제 1층 육성부 용접금속이 용접와이어와 같은 정도록 높은 합금성분을 가질수 있게되며, 얇은 두께의 고합금의 육성층 형성작업이 가능하여 보다 얇은 판에 육성용접도 가능하다는 점이다.