일반기술

InGaAsP/InP BH LD제작방법

본 발명은 매장형 이종접합구조 레이저 다이오드의 제작방법에 관한 것으로, 상세하게는 GaInAsP/InP BH LD의 제조 공정중 메사를 형성하고 전류차단층을 형성하는 공정을 단 한번의 액상성장법(LPE : Liquid Phase Epitaxy)을 이용하여 제작할 수 있도록 한 제작 방법에 관한 것이다. 반도체 레이저라고도 하는 레이저 다이오드의 중요한 응용분야로는 현재 광섬유통신이나 광메모리, 콤팩트디스크의 광원으로서의 활용이 매우 활발하다. 광섬유통신분야에 있어서는 광전송로인 광섬유의 전송손실은 1.2㎛ 내지 1.7㎛ 파장영역에서 최소가 되기 때문에, 광섬유를 이용하는 장거리 통신에 사용할 수 있는 1㎛ 파장의 광을 발진하는 레이저 다이오드가 개발되고 있다. 장거리 광통신에 사용되는 레이저 다이오드의 전형적인 파장은 1.3㎛, 1.55㎛, 그리고 1.2㎛ 이다.종래의 InP계 BH LD는 일반적으로 액상성장법(LPE : Liquid Phase Epitaxy)에 의하여 제작되는데, 매장형 이종접합구조를 제작하는 공정에 있어서 산화규소막을 마스크로 사용하여 Br-메탄올계나 HBr계 에칭액을 사용하여 메사를 형성하고 전류차단층을 성장시켜야 하므로 에칭 및 세정공정을 여러 번 거치게 되어 제작과정이 복잡하다는 단점이 있었다.종래기술에 있어서의 제작과정을 단축시키는 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 InP계 BH LD를 제작함에 있어서 산화규소막 스트라이프를 이용하여 멜트백으로 메사를 형성하고 이어서 전류차단층을 성장시킴으로써 BH LD의 제작공정을 단축할 수 있는 방법을 제공함을 목적으로 하고 있다.본 발명은, InP계 BH LD를 제작함에 있어서, n-InP 기판에 n-InP 버퍼층, InGaAsP 활성층, p-InP 클래드층 및 p-InGaAsP 캡층을 차례로 성장시키는 단계와, 상기 캡층을 제거한 후, 상기 클래드층 위에 산화규소막으로 스트라이프를 형성하는 단계와, 액상성장법에 의하여 멜트백으로 메사를 형성하고, 전류차단층을 성장시키는 단계와, 상기 산화규소막 스트라이프를 제거한 후 p-InP 층 및 p-InGaAsP 층을 차례로 성장시키는 단계, 그리고 p-전극으로서 캡층(52) 위에 Ti/Pr/Au 를 증착하고, 래핑공정에 의하여 n-InP 기판을 연마하여 전체두께가 100 내지 250㎛ 가 되도록 한 다음, n-전극으로서 n-InP에 Cr/Au를 증착하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 제작 방법이다. 종래의 액상성장법에 의한 BH LD의 제작방법에 있어서 메사구조를 형성하는 공정은 Br-메탄올계나 HBr계 에칭액을 사용하여 메사에칭하고 전류차단층을 성장시키는 과정으로 되어 있기 때문에 여러 번의 에칭 및 세정공정이 이용되어야 하는 것에 반하여, 본 발명에 있어서는 산화규소막 스트라이프를 이용하여 한번의 LPE 공정에 의하여 멜트백으로 메사를 형성하고 이어서 전류차단층을 성장시키고 있다. 따라서 Br-메탄올계나 HBr계 에칭액을 사용하는 별도의 메사에칭공정을 수행하지 않아도 되므로 종래 기술에 의한 제작 방법에 비하여 제작공정이 단축되어 공정단순화에 따른 비용절감 효과가 있다.