일반기술

융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 모스 트랜지스터 및 이의 제조 방법

본 발명은 기존의 CMOS 공정에 있어서, 소스와 드레인 영역위에 Ge를 증착하고 후속 열공정(Rapid Thermal Annealing:RTA)을 통하여 Si1-xGex 물질의 융기된 소스/드레인 (Elevated Source/Drain;ESD)을 형성하여, 소스/드레인 저항을 줄이고, Si1-xGex와 Si사이의 불순물 확산율의 차이를 통한 얇은 소스/드레인 접합영역(Shallow Source/Drain Junction Depth)의 형성과 더불어 Si1-xGex에서 Ge의 성분비의 증가에 따른 전도 에너지대역(Conduction Energy Band)의 고정과 가전자 에너지대역(Valance Energy Band)의 상승으로 에너지 밴드갭(Energy Band Gap)의 좁아짐을 통해 전위장벽이 높아지게 된다. 이로서 punchthrough와 같은 단채널 효과(Short Channel Effect)를 효과적으로 억제시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제시한다.Si1-xGex 로 형성된 융기된 소스/드레인을 통한 에너지 밴드갭 modulation에 의해 Short-Channel effect immunity를 확보할 수 있으며, 얇은 소스/드레인 접합과 더불어 낮은 소스/드레인 저항을 획득할 수 있다. 본 발명에서는 단순히 기존의 CMOS공정 중 Ge의 증착과 후속 열처리 과정을 통하여 단채널 효과를 줄이고 소스/드레인 저항을 줄이는 등 탁월성을 가진다.본 발명은 소자의 에너지밴드갭 modulation과 얇은 소스/드레인 접합을 통해 단채널효과를 줄이고 소스/드레인 저항을 줄임으로서 고집적 반도체 IC 개발과 반도체 공학 산업 전반에 널리 사용될 수 있으며,매우 간단하고 재현성 있으며 기존의 공정과 호환이 가능하여 소자의 지속적인 크기축소에 기여할 수 있는 효과가 있다.