일반기술

선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 제작법

본 발명은 반도체 금속 배선을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 도금을 원하지 않는 곳을 절연 물질로 보호함으로서 화학적 기계적 연마 없이 원하는 곳에만 다마신 공정을 수행하여 삼차원 반도체 금속 배선을 제작하는 방법으로서, 비아와 트렌치가 형성된 절연체를 가지는 반도체 기판 상에 금속 시드 층을 증착하는 제 1공정; 상기 시드 층에서 최상층의 도금을 방지하기 위한 절연 물질을 도포하는 제 2공정; 상기 시드 층에 전기 도금을 통하여 금속 구조를 형성하는 제 3공정; 상기 절연 물질을 제거하는 제 4공정; 상기 최상층의 시드층을 제거하는 제 5공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명은 반도체 금속 배선을 형성함에 있어서 소요되는 비용과 재료의 낭비를 줄일 수 있으며, 또한 미소구동시스템을 위한 구조체의 제작에도 응용될 수 있는 장점을 갖는다.반도체 소자에서의 배선 및 미소구동시스템을 위한 금속 다마신 구조체를 화학적 기계적 연마없이 선택적인 도금에 의해 제조하는 방법을 제시 ▶ 다양한 분야에 쓰일 수 있는 원천적인 기술▶ 나노 인쇄기술과 고집적회로 제작 기술의 융합▶ 반도체 소자의 금속 배선 형성 공정에 있어서 비용의 절감과 안정적인 제작을 제공한다.▶ 미소구동시스템에 있어서 만들기 어려웠던 구조체를 쉽게 제조할 수 있는 방법을 제공한다. ▶ 전세계의 어느 곳에나 존재하는 반도체 칩의 기본 공정을 대체하는 기술▶ 반도체 시장은 폭발적으로 성장하고 있으며, 비용효과적인 공정을 계속해서 필요로 하고 있음.▶ 고가의 장비가 필요하지 않아 접근하기 용이하다.▶ 연구개발을 통해 쉽게 대량 생산에 적용될 수 있다.