일반기술

CoFeZr을 포함하는 거대 자기 저항 소자 및 그 제조방법

본 발명은 CoFeZr 강자성층을 포함하는 거대 자기저항 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반강자성층, 고정층, 비자성층과 자유층을 포함하는 자기저항 구조체에 있어서, 상기 고정층 및/또는 자유층을 CoFeZr를 포함된 거대 자기저항 소자및 그 제조 방법을 제공하여 구조적 안정성 및 열적 안정성이 향상시킬 수 있다.본 발명은 CoFeZr 강자성층을 포함하는 거대 자기저항 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반강자성층, 고정층, 비자성층과 자유층을 포함하는 자기저항 구조체에 있어서, 상기 고정층 및/또는 자유층을 CoFeZr를 포함된 거대 자기저항 소자및 그 제조 방법을 제공하여 구조적 안정성 및 열적 안정성이 향상시킬 수 있다.본 발명에 의하면, 거대 자기 저항 소자의 고정층 또는 자유층을 선택적으로 CoFeZr로 형성시키거나, 고정층과 자유층 모두를 CoFeZr로 형성시킴으로써 구조적으로 안정된 표면 정밀도를 지니며, 열적으로 안정적이며 sensitive 한 스핀 배열 및 스위칭 거동을 지닌 거대 자기 저항 소자를 제공할 수 있다.본 발명에 의하면, 거대 자기 저항 소자의 고정층 또는 자유층을 선택적으로 CoFeZr로 형성시키거나, 고정층과 자유층 모두를 CoFeZr로 형성시킴으로써 구조적으로 안정된 표면 정밀도를 지니며, 열적으로 안정적이며 sensitive 한 스핀 배열 및 스위칭 거동을 지닌 거대 자기 저항 소자를 제공할 수 있다.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 기초공정기술
보유기관
고려대학교
기술유형
일반기술
등록일
2007-03-15
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

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