일반기술

비정질 코발트-철-실리콘-보론 자유층을 구비하는 자기 터널 접합

본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 터널 접합에 관한 것으로, 구체적으로는 비정질 CoFeSiB 층을 포함하는 자유층을 구비하는 자기 터널 접합에 관한 것이다. 이러한 자유층은 CoFeSiB 단일층 이거나 CoFeSiB/Ru/CoFeSiB 구조의 합성 반강자성체(SAF: synthetic antiferromagnet)이다.본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 터널 접합에 관한 것으로, 구체적으로는 비정질 CoFeSiB 층을 포함하는 자유층을 구비하는 자기 터널 접합에 관한 것이다. 이러한 자유층은 CoFeSiB 단일층 이거나 CoFeSiB/Ru/CoFeSiB 구조의 합성 반강자성체(SAF: synthetic antiferromagnet)이다.본 발명에 따라 비정질 CoFeSiB 단일층 또는 비정질CoFeSiB/Ru/비정질CoFeSiB 구조의 합성 반강자성(SAF: synthetic antiferromagnet)층의 자유층을 가지는 자기 터널 접합을 제공하여 서브 마이크로 미터 크기의 셀을 가지는 자기 터널 접합의 형성에서 낮은 스위칭 자기장(4~6 Oe)과 큰 자기저항비(18~28%)를 제공할 수 있다.본 발명에 따라 비정질 CoFeSiB 단일층 또는 비정질CoFeSiB/Ru/비정질CoFeSiB 구조의 합성 반강자성(SAF: synthetic antiferromagnet)층의 자유층을 가지는 자기 터널 접합을 제공하여 서브 마이크로 미터 크기의 셀을 가지는 자기 터널 접합의 형성에서 낮은 스위칭 자기장(4~6 Oe)과 큰 자기저항비(18~28%)를 제공할 수 있다.