일반기술

금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법

금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을 감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 상변화 메모리 소자는 제 1 전극; 상기 제 1 전극의 상부에 형성된 상변화 재료층; 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 고속 이온 도체층; 상기 고속 이온 도체층의 상부에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극에 음의 전압이 걸리도록 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 일정 전압을 일정 시간 인가함으로써 상기 고속이온도체층을 관통하여 상기 제 2 전극과 상기 상변화재료층을 연결하는 금속 덴드라이트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의하면, 비휘발성 상변화 메모리 소자에 있어서 금속 덴드라이트를 사용하여 히팅 전극을 제조함으로써 종래의 포토리소그래피 기술이 가지는 전극 사이즈의 한계를 극복하고 저전력에서 동작하는 메모리소자 구현을 위한 전극 크기를 간단한 방법으로 나노 사이즈만큼 감소시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.본 발명에 의하면, 비휘발성 상변화 메모리 소자에 있어서 금속 덴드라이트를 사용하여 히팅 전극을 제조함으로써 종래의 포토리소그래피 기술이 가지는 전극 사이즈의 한계를 극복하고 저전력에서 동작하는 메모리소자 구현을 위한 전극 크기를 간단한 방법으로 나노 사이즈만큼 감소시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.