일반기술

산화인듐 나노 입자의 제조방법 및 이에 의해 제조된가용성 산화인듐 나노 입자

산화인듐 나노입자의 제조방법 및 가용성 산화인듐 나노입자가 제공된다.본 발명에 따른 산화인듐 나노입자의 제조방법은 (a) 인듐 아세틸아세토네이트(In(acac)3, 올레산, 올레일아민 및 상기 인듐 아세틸아세토네이트(In(acac)3)를 기준으로 히드라진 일수화물 4 내지 16당량 포함하는 혼합용액을 제조하는 단계;(b) 상기 혼합용액을 교반하며 상압하에서 80∼100℃로 1차 가열하는 단계; (c) 상기에서 얻어진 용액을 상압하에서 300∼350℃로 2차 가열하여 탈수시키는 단계; 및 (d) 상기 반응용액을 상온으로 냉각시킨 후, 에탄올을 첨가하여 침전물을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 반응조건을 조절함으로써 In2O3의 결정구조 및 모양을 원하는대로 조절할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 가용성 산화인듐 나노입자는 직경이 20nm 미만이고, 유기용매에 대한 가용성이 우수하기때문에 가공성이 뛰어나며, 기체센서, 광전장치 등의 전자소자에 요구되는 특성에 따라 입자의 결정구조 및 모양을 선택하여 광범위하게 사용할 수 있다.상기에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 산화인듐 나노입자의 제조방법은 반응조건을 조절함으로써 In2O3의 결정구조 및 모양을 원하는대로 조절할 수 있으며, 본 발명에 따른 가용성 산화인듐 나노입자는 직경이 20nm 미만이고, 유기용매에 대한 가용성이 우수하기 때문에 가공성이 뛰어나며, 기체센서, 광전장치 등의 전자소자에 요구되는 특성에 따라 입자의 결정구조 및 모양을 선택하여 광범위하게 사용할 수 있다.상기에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 산화인듐 나노입자의 제조방법은 반응조건을 조절함으로써 In2O3의 결정구조 및 모양을 원하는대로 조절할 수 있으며, 본 발명에 따른 가용성 산화인듐 나노입자는 직경이 20nm 미만이고, 유기용매에 대한 가용성이 우수하기 때문에 가공성이 뛰어나며, 기체센서, 광전장치 등의 전자소자에 요구되는 특성에 따라 입자의 결정구조 및 모양을 선택하여 광범위하게 사용할 수 있다.