일반기술

ＴｉｘＡｌ１－ｘ（０＜Ｘ＜１）을 하지층 또는 상지층으로사용한 다층 구조를 지닌 소자

본 발명은 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자에 관한 것이다. 기판; 상기 기판 상에 적층된 하지층; 상기 하지층 상에 형성된 자성층 및 비자성층들로 이루어진 자기 저항 구조체를 포함하는 자기 저항 소자에 있어서, 상기 하지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)를 포함하는 소자 구조를 제공한다.본 발명은 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자에 관한 것이다. 기판; 상기 기판 상에 적층된 하지층; 상기 하지층 상에 형성된 자성층 및 비자성층들로 이루어진 자기 저항 구조체를 포함하는 자기 저항 소자에 있어서, 상기 하지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)를 포함하는 소자 구조를 제공한다.본 발명에 따른 자기저항소자는, 하지층 및/또는 상지층을 비정질 TixAl1-x(0<x<1)으로 형성함으로써, 고온으로 가열되는 경우에도 자기저항비 등의 주요 특성이 크게 저하되지 않으면서, 표면 조도를 향상시키고 저항 특성을 개선시키는 효과가 있다.본 발명에 따른 자기저항소자는, 하지층 및/또는 상지층을 비정질 TixAl1-x(0<x<1)으로 형성함으로써, 고온으로 가열되는 경우에도 자기저항비 등의 주요 특성이 크게 저하되지 않으면서, 표면 조도를 향상시키고 저항 특성을 개선시키는 효과가 있다.